硅片回收中半導(dǎo)體材料光伏材料是關(guān)鍵的原素半導(dǎo)體器件，包含硅多晶、硅單晶、硅單晶、硅外延片、非晶硅塑料薄膜等，可立即或間接性用以制取集成電路工藝。

        硅為元素表中Ⅳ族原素。在地球內(nèi)部中關(guān)鍵以二氧化硅和鋁硅酸鹽方式存有。豐度為27.7%，僅次氧。硅的原子量為28.05，25℃下相對密度為2.329g/cm3，具備深灰色金屬質(zhì)感，較脆，強度6.5Cohs，稍小于方解石。溶點1410℃，在溶點時容積縮水率9.5%。常溫狀態(tài)硅表層遮蓋一層特薄空氣氧化層，物理性質(zhì)不開朗。高溫下與氧反映轉(zhuǎn)化成不定形二氧化硅層，在元器件加工工藝中常見半作掩蔽層和隔離層。硅不溶解酸，但溶解HNO3。和HF的混和水溶液中，常見這類水溶液作浸蝕液。硅稍溶解升溫的堿溶液中，還可選用低溫等離子浸蝕技術(shù)性來浸蝕硅。

        硅有結(jié)晶體態(tài)和非晶。常溫狀態(tài)硅單晶電極化指數(shù)11.7，對光線具備高的發(fā)射率(n=3.42)，反射面損害很大，涂以適度減反射膜可進一步提高透過率。硅中的殘渣會造成光的消化吸收，氧和碳的消化吸收帶在室內(nèi)溫度下各自坐落于1107和607cm-1處。

        結(jié)晶體態(tài)光伏材料的制取方式一般是先將硅石(SiO2)在加熱爐中高溫復(fù)原為冶金工業(yè)級硅(純凈度95%～99%)，隨后將其變成硅的鹵化物或氫化物，經(jīng)純化，以制取純凈度很高的硅多晶。包含硅多晶的西門子PLC法制取、硅多晶的硅烷法制取。在生產(chǎn)制造大部分集成電路工藝時，用的光伏材料并不是硅多晶硅片回收，只是高一致性的硅單晶。一般用直拉法或區(qū)熔法由硅多晶制取硅單晶。

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